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标签:闪存

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创见全新3D闪存SSD发布:速度寿命全面提升

chendan0603阅读(326)评论(0)

创见今天宣布推出全新230系列SSD产品,容量非别有128GB、256GB和512GB三种规格可选。全新230系列SSD的最大特点在于采用了时下工艺最先进的3D封装NAND芯片,不仅突破了以往2D NAND芯片在容量上的物理瓶颈而且还增加了...

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Intel推出DC P3100固态硬盘:3D TLC闪存 写入低至55MB/s

chendan0603阅读(171)评论(0)

8月份的时候Intel一股脑推出了6款SSD新品,分别相面消费级、嵌入式、商用等不同市场,开始全线升级3D NAND闪存。日前Intel又推出了面向数据中心市场的入门级固态硬盘DC P3100系列,官方表示这是首款M.2规格、基于PCI-E...

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2017年中国将推自主生产3D NAND闪存 32层堆栈

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由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元...

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富士通将推碳纳米管内存:55nm工艺 比闪存快一千倍

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作为曝光率最高的纳米技术之一,什么东西只要跟碳纳米管沾边马上就显得高大上了。日本富士通公司日前宣布与美国Mantero公司达成合作协议,双方将共同推进碳纳米管内存(NRAM)研发、制造,这种内存的速度号称是普通闪存的1000倍,预计2018...

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三星将推100层以上堆叠的1TB级闪存

chendan0603阅读(183)评论(0)

东芝、美光近来积极布局3D立体堆叠的NAND闪存架构,东芝已经做到64层,让这方面的领导者三星感到压力山大,日前也宣布了自己的第四代V-NAND,同样达到64层,存储密度比现在提高30%,硬盘最大容量可以做到惊人的32TB。据韩国媒体报道,...

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VIA发布两款SSD主控:首次支持TLC闪存 延寿3倍

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VIA(威盛)这个名字已经很久没有在普通消费者面前出现了,而在加州闪存峰会上,VIA很意外地发布了两款SSD固态硬盘主控制器。VIA此前其实就有多款SSD主控产品,VT6730、VT6735、VT6740、VT6742等等,但本身规格一般般...

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三星已可实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存

chendan0603阅读(215)评论(0)

在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高,超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-N...