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斯坦福大学宣布相变内存研究新突破:可比传统DRAM快千倍

chendan0603阅读(222)评论(0)

全球研究者们对相变内存(PCM)领域投入了大量的时间和兴趣,而斯坦福大学刚刚实现了一个新的突破。相变是指在两种物理状态之间进行迁移——即低阻的晶态和高阻扛的非晶态。虽然它已经在当前的存储技术领域展现出了诸多的优势,但仍然不够完美。正如Ext...