标签：晶粒

2016-08-11chendan0603阅读(217)评论(0)

在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上，三星宣布了一项技术升级突破：第四代V-NAND（立体堆叠3D闪存）已经实现了64层晶粒（DIE）堆叠，存储密度再次突破新高，超过了外媒刚经过测评的Portable SSD T3中相当令人震撼的48层V-N...